PSHI2312PSHI2317-驱动电路,IGBT驱动电路,IGBT.pdf 8页

2020-03-31 365官方体育 阅读

  PSHI 2312,PSHI 2317

  , 极限参数(T a=2 5 ℃)

  符号 含义 数值 单位

  VS 边电压 18 V

  V V +0 .3 V

  iH 输入旌旗灯号高电平 S

  IoutPEAK 输入峰值电流 8 A

  IoutAV 输入平均电流 50 mA

  V IGBT CE 1200 / 1700 V

  CE , 极电压

  dv/dt 电压变更率 75 kV/μs

  V 1 , 4000 V

  isol IO 输入输入隔离电压( 分钟交换)

  RGon min 最小门极守旧电阻 2 .7 Ω

  RGoff min 最小门极关断电阻 2 .7 Ω

  Qout/pulse 充电电荷 4 .8 μC 普实鸿飞

  T -25~85

  op 任务温度 ℃

  Tstg 贮存温度 -25~85 ℃ PCB IGBT Driver

  PSHI 2312

  二, 电气参数(T a=2 5 ℃) PSHI 2317

  数值 双路智能大年夜功率IGBT 驱动器

  符号 含义 单位

  最小 典范 十分

  VS 边电源电压 14.4 15 15.6 V

  IS 边电源电流十分值 0 .321) A 产品特色

  ISO2) 边电源电流最小值 0 .12 A ■PSHI2312 可以驱动全系列1200V IGBT

  输入高电平门槛 (依据1200V IGBT的特点设置VCE监测保护)

  VIT+ 输入电平为15V 12.5 V ■PSHI2317 可以驱动全系列1700V,IGBT

  输入电平为5V 2 .4

  输入低电平门槛 (依据1700V IGBT的特点设置VCE监测保护)

  VIT- 输入电平为15V 3 .6 V ■任务形式可选择半桥形式或两个单 形式

  输入电平为5V 0 .5 ■输入可兼容CMOS/TTL(HCMOS) 电平

  Rin 输入阻抗 10 kΩ ■经过检测VCE 供给短路保护

  VG(on) 门极守旧电压 15 V ■爆发短 时,具有软关断功用

  VG(off) 门极关断电压 -8 V ■经过变压器(而非光耦)停止电气隔离

  f 十离开关频率 见图1

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